「廣帶隙半導體」是指能帶隙較大的半導體材料，通常其能帶隙大於2電子伏特（eV）。這類材料在高溫、高功率和高頻應用中具有優異的性能，常見的廣帶隙半導體包括氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）和鋁鎵氮（AlGaN）。廣帶隙半導體的特性使其在光電子、射頻和電力電子等領域中具有廣泛的應用潛力。
廣帶隙半導體的英文翻譯，強調其能帶隙較大的特性，通常用於描述這類材料的應用和優勢。廣帶隙半導體在高效能電子設備中扮演著重要角色，特別是在高頻和高功率的應用中。
例句 1：
氮化鎵是一種廣帶隙半導體，廣泛應用於LED和功率電子設備中。
Gallium nitride is a wide bandgap semiconductor widely used in LEDs and power electronics.
例句 2：
這種廣帶隙半導體能在高溫環境下穩定運行。
This wide bandgap semiconductor can operate stably in high-temperature environments.
例句 3：
研究人員正在探索廣帶隙半導體在未來電子技術中的潛力。
Researchers are exploring the potential of wide bandgap semiconductors in future electronic technologies.
強調其能帶隙較高的特性，通常用於描述能在極端環境中運行的半導體。這類半導體對於高功率和高頻應用非常重要，並且在電力電子和光電技術中有著廣泛的應用。
例句 1：
碳化矽是一種高帶隙半導體，適合用於高功率應用。
Silicon carbide is a high bandgap semiconductor suitable for high power applications.
例句 2：
這些高帶隙半導體在射頻技術中表現出色。
These high bandgap semiconductors perform excellently in radio frequency technologies.
例句 3：
使用高帶隙半導體的設備能在更高的效率下運行。
Devices using high bandgap semiconductors can operate at higher efficiencies.
這個術語通常用於描述能帶隙較大的半導體材料，並且與廣帶隙半導體相似。這類材料在許多先進技術中扮演著關鍵角色，特別是在光電和電力電子領域。
例句 1：
這種寬帶隙半導體在高功率應用中具有優越的性能。
This wide gap semiconductor has superior performance in high power applications.
例句 2：
寬帶隙半導體的發展將推動新一代電子設備的進步。
The development of wide gap semiconductors will drive advancements in the next generation of electronic devices.
例句 3：
在極端條件下，寬帶隙半導體表現出色。
Wide gap semiconductors perform excellently under extreme conditions.
這個術語強調能帶隙的寬度，通常用於描述能在特定條件下有效運作的半導體材料。它們在高頻和高功率應用中非常重要。
例句 1：
寬能帶隙半導體在太陽能電池中有潛在的應用。
Wide energy gap semiconductors have potential applications in solar cells.
例句 2：
這種材料被認為是未來電子技術的關鍵。
This material is considered key for future electronic technologies.
例句 3：
寬能帶隙半導體的研究正在快速發展。
Research on wide energy gap semiconductors is rapidly advancing.