「廣能帶隙」是指半導體材料中導帶與價帶之間的能量差距。這個能量差距決定了材料的導電性質，影響其在電子設備中的應用。廣能帶隙材料通常具有較高的熱穩定性和耐高溫性能，並且在高能量光子（如紫外光）下表現出良好的光學性質。廣能帶隙材料在光電元件、LED、激光器等領域有著廣泛的應用。
在固體物理和材料科學中，這個術語用來描述導帶和價帶之間的能量差。這個能量範圍決定了材料的導電性質，並且影響其在電子和光電應用中的表現。不同的材料具有不同的帶隙，這使得它們在各種技術應用中有不同的用途。
例句 1：
這種材料的帶隙使它適合用於太陽能電池。
The band gap of this material makes it suitable for solar cells.
例句 2：
較大的帶隙通常意味著材料在高溫下更穩定。
A larger band gap usually means the material is more stable at high temperatures.
例句 3：
科學家們正在研究新型材料的帶隙特性。
Scientists are studying the band gap properties of new materials.
這個術語通常用於描述電子在材料中的能量狀態之間的差距。這個能量差距影響材料的導電性和光學特性，並且是設計新型電子元件的關鍵參數之一。
例句 1：
能量差距的大小直接影響材料的導電性能。
The size of the energy gap directly affects the conductivity of the material.
例句 2：
在這種情況下，能量差距決定了光的吸收範圍。
In this case, the energy gap determines the range of light absorption.
例句 3：
研究人員正在尋找具有小能量差距的材料，以提高光電效率。
Researchers are looking for materials with a small energy gap to improve photoelectric efficiency.
這是描述半導體材料中導帶和價帶之間能量差的專業術語。它是理解半導體行為的重要參數，並且對於設計和製造電子元件至關重要。
例句 1：
這種材料的能量帶隙適合用於高效能的LED。
The energy band gap of this material is suitable for high-efficiency LEDs.
例句 2：
在設計新型半導體時，能量帶隙是一個關鍵考量。
The energy band gap is a key consideration when designing new semiconductors.
例句 3：
不同的能量帶隙使得材料在光電應用中具有不同的性能。
Different energy band gaps give materials varying performances in optoelectronic applications.
這個術語專指半導體材料中導帶與價帶之間的能量差，對於電子和光電元件的性能至關重要。它影響材料的導電性質和光學特性，並且是設計半導體器件時的重要參數。
例句 1：
半導體的能隙決定了其在電子設備中的應用。
The semiconductor gap determines its application in electronic devices.
例句 2：
小的半導體能隙材料適合用於低能量光子的探測。
Materials with small semiconductor gaps are suitable for detecting low-energy photons.
例句 3：
提高半導體能隙的技術正在不斷發展。
Techniques to enhance the semiconductor gap are continuously being developed.